一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种二维硫化铼‑硫化钼垂直异质结构的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属铼箔(Re)为铼源，金属钼箔(Mo)为钼源，金属铼箔平铺在金属钼箔的一端表面上，衬底倒扣在金属钼箔上，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了以多层ReS2为底层、双层MoS2为顶层的二维ReS2/MoS2垂直异质结构。所得二维ReS2/MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的晶体，呈现出显著的发光性质，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域，在高效光探测器领域中有潜在的应用。
基本信息
专利标题 ：
一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420567A
申请号 ：
CN202111638376.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈飞吕秋燃夏媛苏伟涛
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111638376.1
主分类号 ：
H01L21/365
IPC分类号 ：
H01L21/365 H01L21/34 H01L29/267 H01L33/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/365
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/365
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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