一种TFT-LCD高阻镀膜工艺气体装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种TFT‑LCD高阻镀膜工艺气体装置，涉及TFT‑LCD技术领域。本发明中：基片包括有一组气体注入侧和一组气体回流侧，镀膜工艺气体装置包括两个设置在气体注入侧外围区域的工艺气管，工艺气管设有朝向气体注入侧的出气孔；镀膜工艺气体装置包括设置在其中一气体回流侧外围区域的第一偏位吸气装置和设置在另外一气体回流侧外围区域的第二偏位吸气装置；第一偏位吸气装置、第二偏位吸气装置的两侧都连通有中间储气罐，中间储气罐的出气端与工艺气管连通。本发明中的工艺气体供气装置采用双边侧供气、偏位式气体回流引导方式，使镀膜室的气体分布更匀称，不易出现溅射亏气、靶面中毒现象，而且使产品膜层更加均匀以及稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种TFT-LCD高阻镀膜工艺气体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481062A
申请号 ：
CN202111639860.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘晶蒋杰程秀文
申请人 ：
蚌埠高华电子股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市高新技术开发区兴旺路717号
代理机构 ：
合肥鸿知运知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张林锋
优先权 ：
CN202111639860.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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