一种下沉式真空腔体
公开
摘要

本发明属于真空镀膜设备技术领域,具体公开了一种下沉式真空腔体,包括底板,底板边沿的顶部均固接有侧板,侧板的顶端设有沿口板,位于左侧的侧板上设有抽气口和支撑臂,四个侧板围成的空腔内下沉有盖板,盖板底部两侧安装有放气挡板,放气挡板两侧均设有一排气孔;盖板的顶部固接有盖板下沉板;盖板下沉板的顶部固接有围板,盖板下沉板的两侧顶部均设有快速放气进气口和软放气进气口;盖板下沉板的顶部固接有盖板翻转臂,盖板翻转臂的一端延伸至围板的外部并与支撑臂连接;位于底板两端的侧板外侧均固接有端板,端板上设有若干固定孔,固定孔内设有紧固螺栓;本发明能够防止充气气流直接充进真空腔体将基片吹起或破碎,且生产效率高。

基本信息
专利标题 :
一种下沉式真空腔体
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481081A
申请号 :
CN202111640869.9
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张俊峰赵子东许春立魏庆瑄
申请人 :
上海子创镀膜技术有限公司
申请人地址 :
上海市金山区金山工业区金飞路808号
代理机构 :
上海尊肃专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李珍珍
优先权 :
CN202111640869.9
主分类号 :
C23C14/56
IPC分类号 :
C23C14/56  C23C16/54  C23C16/455  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
法律状态
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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