Ⅲ族氮化物微纳结构的激光处理方法及发光器件
实质审查的生效
摘要
本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物微纳结构的激光处理方法及发光器件，所述方法包括：S1、提供Ⅲ族氮化物微纳结构，所述Ⅲ族氮化物微纳结构包括Ⅲ族氮化物薄膜及位于Ⅲ族氮化物薄膜上的Ⅲ族氮化物纳米线阵列结构；S2、采用超快飞秒激光连续辐照Ⅲ族氮化物纳米线阵列结构，以改善Ⅲ族氮化物微纳结构的发光性能。本发明采用超快飞秒激光连续辐照可以改善Ⅲ族氮化物材料的晶体质量，提高其发光性能，使发光强度获得不可逆转的增强；本发明具有成本低、操作简单、且能精准选区辐照等特点，能应用于Micro‑LED、Nano‑LED等发光器件中。
基本信息
专利标题 ：
Ⅲ族氮化物微纳结构的激光处理方法及发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284138A
申请号 ：
CN202111645211.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武圆梦易觉民胡俊杰王淼王建峰徐科
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区若水路398号
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘时伟
优先权 ：
CN202111645211.7
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L33/00 H01L33/24 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/268
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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