一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀，免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺具体操作如下：劈刀衬底的制备；表层预处理：碱性混合液清洗劈刀衬底，乙醇清洗，光纤激光结构粗化；将劈刀衬底浸至熔融状的氢氧化钠，乙醇清洗；碱性混合液包括如下重量份的原料：10‑20份质量分数18‑25%的氢氧化钠水溶液和3‑7份烷基酚聚氧乙烯醚；表层强化处理，得到劈刀。本申请工艺生产的劈刀沉积层厚度3.0‑5.0μm，沉积层结合力最高HF1，沉积层连续紧密，且光滑平整。劈刀材料去除量最低246.7mm3，耐磨性强；弯曲强度最高1632MPa，使劈刀达到了免清洗的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361054A
申请号 ：
CN202111648470.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘德强
申请人 ：
深圳市盛元半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道凤凰第三工业区创业园E幢
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
陈方
优先权 ：
CN202111648470.5
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 B23K20/10 B23P15/00 C23C16/27 C23C16/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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