本申请提供三维存储器及制备方法、电子设备及控制方法。制备方法包括：在衬底上形成叠层结构，在叠层结构中形成贯穿其中并延伸至衬底的沟道结构，沟道结构包括沟道孔和依次形成在沟道孔内壁上的功能层和沟道层；去除衬底，并去除延伸至衬底的部分功能层，以暴露沟道层；形成与暴露的沟道层连接的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层包含第一导电类型的杂质，第二半导体层包含与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质。通过利用极性相反的双层半导体层连接沟道层，可在存储器中形成等电位且极性相反的双阵列公共源极，从而有效改善存储器的稳定性，并使存储器在执行擦除、读写和编程操作时，均具有双倍的进程窗口，提高系统的稳定性。