本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中，制备方法包括提供衬底，衬底具有外围电路区与阵列存储区，在衬底上开设凹槽并使至少部分凹槽对应外围电路区设置。形成覆盖凹槽的牺牲层。形成对应阵列存储区的堆栈结构。形成覆盖衬底以及堆栈结构的介电层。形成贯穿介电层与堆栈结构的第一栅缝隙。第一栅缝隙覆盖外围电路区与阵列存储区，第一栅缝隙露出凹槽内的牺牲层。去除设于凹槽内的牺牲层以使第一栅缝隙与凹槽连通形成栅缝隙。本申请提供的制备方法工艺简单，通过在对应外围电路区的衬底上形成凹槽，并在凹槽内填充牺牲层的方法来控制栅缝隙的形成。可降低栅缝隙与三维存储器的制备难度，提高栅缝隙与三维存储器的质量。