本发明公开了一种高可靠性氮化铝覆铜陶瓷基板及其制备方法，为实现各个单相材料的优势互补，本申请以氮化铝粉末、氮化硅粉末、烧结助剂为主料，烧结制备复合氮化铝陶瓷基板，其满足高强度、高导热、低损耗等要求，综合性能优异，实用性较好。本发明工艺设计合理，方案操作简单，陶瓷浆料层和焊料层的存在能够有效改善A1N与金属Cu之间的界面润湿性，使氮化铝与铜片之间紧密结合，使得覆铜基板具有高剥离强度及高可靠性优点，可适用于半导体制冷器、功率半导体模块的制备，特别是大规模、超大规模集成电路及大功率LED，具有较高的实用性。