一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明提供的一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用，所述光调控忆阻器的异质结层为黑磷BP和CsPbBr3 QDs通过自组装形成的CsPbBr3 QDs‑BP异质结，其具有高电荷载流子迁移率以及高吸收系数；忆阻器制作在柔性基底上，通过合适的溶液配比，器件表现出易失特性；所述忆阻器利用光刺激来激发模拟神经元功能。将所述光调控忆阻器应用于LIF模型人工神经元，显示了基于光刺激电位计算关键特征：强度调制频率响应，通过不同的光强实现对神经元的刺激脉冲频率调控，光强越强，神经元的输出脉冲频率越高。作为突触后神经元，其被证明适用于无监督脉冲神经网络。这些结果表明，本发明所开发的人工神经元可以实现脉冲神经元的基本功能，具有很强的神经形态计算潜力。
基本信息
专利标题 ：
一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335231A
申请号 ：
CN202111672945.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩素婷宫悦周晔
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202111672945.4
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/18 G06N3/067 G11C11/42 G11C11/54
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/109
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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