基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与...
公开
摘要
本发明公开基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与应用。所述方法包括：在衬底层上制备下电极；在所述下电极上制备二维金属材料层，通过氧气退火制得二维金属材料其氧化物的介质层；采用与制备下电极相同方法制备上电极，使上电极层与下电极层在竖直方向上的投影相互交叠得到基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器。此外还提供了通过调控氧化退火时间控制忆阻器性能的方法，并制备对应的忆阻器。本发明得到的忆阻器体积小、性能可控，利于集成，可以应用于新型储存器件、人造突触、模拟电路、人工智能计算机等方面。
基本信息
专利标题 ：
基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300615A
申请号 ：
CN202111572994.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾翔宇汪小知李梦露刘雨露王浩彬
申请人 ：
海宁市产业技术研究院
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号科创中心D座1502室
代理机构 ：
浙江永航联科专利代理有限公司
代理人 ：
江程鹏
优先权 ：
CN202111572994.0
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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