非易失性FeOOH/TiO2异质结...
公开
摘要
本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法，包括底电极，底电极上外延依次生长有TiO2阻变层和FeOOH阻变层，FeOOH阻变层表面沉积有上电极。制备方法包括，导电面朝下的底电极衬底斜放在水热反应釜内胆内，加入配制钛酸四丁酯的反应液，保持部分底电极衬底高于反应液面，密封后置于马弗炉中，水热反应；得到TiO2/底电极样品；外延生长面朝下斜放在水热反应釜内胆内，加入FeCl3·6H2O的反应溶液，密封后置于马弗炉中，水热反应完成后得到所需FeOOH/TiO2/底电极异质结样品；表面沉积一定厚度和形貌的上电极。本发明提供了一种低成本、高密度非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器。
基本信息
专利标题 ：
非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628580A
申请号 ：
CN202210263712.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余志强陈诚徐佳敏曲信儒韩旭镇丹刘宝生孙子君张喨欧梅莲
申请人 ：
广西科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区柳州市城中区东环大道268号
代理机构 ：
成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王悦
优先权 ：
CN202210263712.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 G11C13/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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