具有多值特性的SrFeOx阻变存储...
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体信息存储技术领域，更具体地，涉及具有多值特性的SrFeOx阻变存储器、其制备和应用。该阻变存储器自下而上依次包括衬底、下电极、第一电阻变化层、第二电阻变化层和顶电极，第一电阻变化层和第二电阻变化层的材料为SrFeOm和SrFeO2.5，其中2.7≤m≤3，第一电阻变化层为第二电阻变化层形成导电丝与界面扩散提供所需的氧离子源。该SrFeOx阻变存储器通过结构设计能够具有四个稳定存在的电阻状态，解决了现有技术SrFeOx RRAM的器件目前只能形成高组态和低阻态两种状态，限制了其单位面积下器件存储容量的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
具有多值特性的SrFeOx阻变存储器、其制备和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361336A
申请号 ：
CN202111641502.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程伟明苏睿陈家宝缪向水
申请人 ：
华中科技大学;湖北江城实验室
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
武汉华之喻知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭翠
优先权 ：
CN202111641502.9
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 C23C14/08 C23C14/28 C23C14/35
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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