一种光调控的石墨烯异质结晶体管及其制备方法
公开
摘要
一种光调控的石墨烯异质结晶体管，其特征在于，其由栅极、绝缘层、石墨烯纳米带阵列、源极、漏极以及有机半导体层制成，其中在栅极上设置绝缘层，绝缘层表面设置石墨烯纳米带阵列，在石墨烯纳米带阵列表面、沿着石墨烯纳米带阵列延伸方向的两端设置源极和漏极，并在源极和漏极之间、石墨烯纳米带阵列表面上以及石墨烯纳米带阵列的带间设置有机半导体层，其中，石墨烯纳米带阵列的带间宽度设置为使其在红外波段可激发石墨烯等离激元。本发明将石墨烯超构表面与有机半导体有机结合，利用红外光直接对石墨烯的费米能级进行调控，提供了一种调控石墨烯载流子浓度的方法，进而在红外波段实现石墨烯等离激元的灵活调控。
基本信息
专利标题 ：
一种光调控的石墨烯异质结晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300619A
申请号 ：
CN202111499620.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李佳姚智奇刘志锴喻学锋
申请人 ：
深圳先进技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
范盈
优先权 ：
CN202111499620.0
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/05 H01L51/48 H01L51/40
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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