石墨烯晶体管和制造石墨烯晶体管的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了制造石墨烯晶体管101的方法，所述方法包括：(a)提供具有基本平坦的表面的基底，其中所述表面包括绝缘区域110和相邻半导体区域105；(b)在所述表面上形成石墨烯层结构115，其中石墨烯层结构设置在绝缘区域和相邻半导体区域二者的一部分上并且横跨二者；(c)在石墨烯层结构的自身设置在半导体区域105上的部分上形成介电材料层120；以及(d)提供：在石墨烯层结构的自身设置在绝缘区域110上的部分上的源极接触件125；在介电材料层120上并且在石墨烯层结构的自身设置在半导体区域105上的部分上方的栅极接触件130；以及在基底表面的半导体区域105上的漏极接触件135。
基本信息
专利标题 ：
石墨烯晶体管和制造石墨烯晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284349A
申请号 ：
CN202111142930.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·詹姆士·巴德科克罗伯特·沃利斯艾弗·吉尼西蒙·托马斯
申请人 ：
帕拉格拉夫有限公司
申请人地址 ：
英国剑桥郡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN202111142930.7
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/16 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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