一种高性能忆阻器的制备方法
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摘要
本发明公开了一种高性能忆阻器的制备方法，包括以下步骤：在低阻硅上组装单层胶体微球阵列，得到样片；对样片进行干法刻蚀，胶体微球阵列下方的低阻硅出现锥状柱，待胶体微球阵列减小到某一尺寸或刻蚀殆尽后时停止刻蚀；在样片上制备绝缘层，并在绝缘层上制备金属层；从底层低阻硅层和顶层金属层分别引出电极。本发明以胶体微球阵列作为掩膜版采用干法刻蚀，直接在精密抛光的低阻硅表面制备具有斜坡的三维锥状柱阵列，相比湿法刻蚀，更能保证三维图案表面的粗糙度小、图案均一性好、阵列在空间平行性高。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能忆阻器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111293221A
申请号 ：
CN202010270967.7
公开（公告）日 ：
2020-06-16
申请日 ：
2020-04-08
授权号 ：
CN111293221B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
王军刘贤超崔官豪杨明苟君
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张巨箭
优先权 ：
CN202010270967.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-07-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20200408
申请日 : 20200408
2020-06-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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