采用双刀切双排管脚的QFN封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种采用双刀切双排管脚的QFN封装方法，包括以下步骤：来料准备、涂胶、芯片安装、电气连接、包覆、第一次切断、第二次切断、分离芯片、包装入库等步骤。本发明提供了一种简化生产工序、降低生产成本且提高加工效率的采用双刀切双排管脚的QFN封装方法通过内排管脚不设计支撑筋，用内外排管脚通过同一根第二支撑筋支撑，包封完之后先将内排管脚与外排管脚之间的第一支撑筋切断再切割第二支撑筋将产品切割分离出来，可以将有效改善双排管脚间切割毛刺的问题，且不用特别建立封装蚀刻线，降低了封装成本。
基本信息
专利标题 ：
采用双刀切双排管脚的QFN封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334671A
申请号 ：
CN202111681426.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国栋潘明东龙欣江许连军徐海
申请人 ：
江苏芯德半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号
代理机构 ：
无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏霞
优先权 ：
CN202111681426.4
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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