一种半导体控温装置
授权
摘要
本实用新型属于半导体控温技术领域，公开了一种半导体控温装置，包括待控主体和半导体控温组件，所述半导体控温组件包括多个半导体制冷片，多个所述半导体制冷片设于所述待控主体的内/外表面，其中，多个所述半导体制冷片的中心点依次连线为一条螺旋线，用于所述半导体制冷片就所述待控主体进行螺旋缠绕，所述半导体制冷片与所述待控主体间涂履有便于热传导的导热层。本实用新型设计简单，结构合理，提高了半导体控温装置的效率，控温效果迅速，控温面积均匀，生产运行成本低，提高了性价比，提高了市场竞争力。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体控温装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121023855.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-05-13
授权号 ：
CN216592310U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
罗邦雄杨雷储宏伟罗景庭
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾敬
优先权 ：
CN202121023855.8
主分类号 ：
F25B21/02
IPC分类号 ：
F25B21/02 F25B49/00
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F25
制冷或冷却；加热和制冷的联合系统；热泵系统；冰的制造或储存；气体的液化或固化
F25B
制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统
F25B
制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统
F25B21/00
应用电或磁效应的制冷机器、装置或系统
F25B21/02
应用珀耳贴效应；应用能斯特—厄廷豪森效应
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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