金刚石圆片径向生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及晶体合成技术领域,尤指一种金刚石圆片径向生长装置,包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元,升降式旋转支架包括升降杆装置和至少两组平行设置的旋转轴,旋转轴安装在升降杆装置的顶端;晶圆夹持单元用于将多片金刚石圆片同轴夹持成圆柱状,晶圆夹持单元放置在两个旋转轴之间。本实用新型的装置通过晶圆夹持单元夹持多片金刚石圆片,其中外面的两片作为配片用于保护夹在中间的金刚石圆片的底面,使得中间的金刚石圆片只在侧面外延生长,在长周期的生长过程中能很好地保持金刚石圆片的圆度及厚度。
基本信息
专利标题 :
金刚石圆片径向生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202121824546.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-08-05
授权号 :
CN216237371U
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
王忠强陶仁春王琦张国义王新强
申请人 :
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
代理机构 :
东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
潘婷婷
优先权 :
CN202121824546.0
主分类号 :
C30B25/20
IPC分类号 :
C30B25/20 C30B25/12 C30B29/04
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
C30B25/20
与外延层材料相同的衬底
法律状态
2022-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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