金刚石厚导电膜的生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及金刚石加工设备技术领域，名称是金刚石厚导电膜的生长装置，包括一个成膜仓，所述的成膜仓侧面具有侧门，侧门和成膜仓可以气密性连接，还有一个成膜平台安装在成膜仓中，所述的成膜仓还连接有高压进气管，在成膜仓内还有电加热管；所述的电加热管可以使成膜仓温度达到300—350℃；所述的加热管是两层的，分别是上层电加热管和下层电加热管，所述的上层电加热管朝下对着成膜平台，所述的下层电加热管朝上对着成膜平台；这样的金刚石厚导电膜的生长装置可以生产出导电膜较厚的金刚石、满足一些客户需要的优点。
基本信息
专利标题 ：
金刚石厚导电膜的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021108461.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-16
授权号 ：
CN212669792U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
乔金勇朱珠汪康静朱晓凯
申请人 ：
洛阳誉芯金刚石有限公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市（涧西）蓬莱路2号洛阳国家大学科技园B区1幢105室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021108461.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/46
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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