一种金刚石薄膜生长气路结构
授权
摘要
本实用新型涉及金刚石薄膜技术领域，且公开了一种金刚石薄膜生长气路结构，包括金刚石生长室，所述金刚石生长室的上方设置有第一连接管,所述第一连接管的左右两侧均连通有第二连接管，右侧的所述第二连接管上设置有截止阀A，所述第二连接管的底端连通有CHO液态源容器，所述CHO液态源容器内设置有CHO液态源，所述CHO液态源容器的一侧设置有氢气气源。本方案的真空镀膜的金刚石薄膜生长气路结构，通过氢气带动CHO液态源饱和蒸汽进入金刚石薄膜生长室，并通过调节氢气流量计大小，调节腔室压强，从而得到混合均匀、比例合适、气压正常的金刚石薄膜生长气氛，且操作简单。
基本信息
专利标题 ：
一种金刚石薄膜生长气路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921911663.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN210657125U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
邹杨孙蕾邹松东
申请人 ：
洛阳奥尔材料科技有限公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市涧西区浅井头一街坊7幢2-402室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921911663.3
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/455 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
