金刚石生长设备及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种金刚石生长设备及方法，所公开的金刚石生长设备包括工艺腔室、第一检测模块、第二检测模块和控制模块，工艺腔室包括腔室本体和用于承载半导体基片的承载座，第一检测模块用于检测半导体基片的实际温度，第二检测模块用于检测C2谱线与Hα谱线的实际谱线强度比值，第一检测模块和第二检测模块均与控制模块相连；控制模块用于在第一差值大于第一预设波动值，且第二差值大于第二预设波动值的情况下，调整工艺内腔的工艺条件，直至第一差值小于或等于所述第一预设波动值。上述方案可以解决只通过红外测温仪检测半导体基片的温度存在检测可靠性较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
金刚石生长设备及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481310A
申请号 ：
CN202210181958.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨凯翼
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
施敬勃
优先权 ：
CN202210181958.X
主分类号 ：
C30B25/08
IPC分类号 ：
C30B25/08 C30B29/04 C30B25/16 C23C16/44 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室；其所用材料的选择
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/08
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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