一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
基本信息
专利标题 ：
一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318307A
申请号 ：
CN202111633018.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王新强王忠强刘南柳陶仁春王琦张国义
申请人 ：
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
俱玉云
优先权 ：
CN202111633018.1
主分类号 ：
C23C16/511
IPC分类号 ：
C23C16/511 C23C16/50 C23C16/27 C23C16/46 C23C16/458 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/511
采用微波放电
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/511
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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