金刚石膜的选择性气相生长
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属一种在半导体衬底表面选择性生长金刚石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金刚石成核密度具有很大差异这一性质，实现了金刚石膜的选择性生长。主要工艺过程为研磨，生长隔离膜，光刻，制备金刚石膜，化学腐蚀等。所制备的金刚石膜具有质量高，选择性生长好，不破坏衬底等优点，而且制备参数易于控制，工艺简单，成品率高。本方法制备的金刚石膜可应用于大规模集成电路，微波器件，光电器件等半导体器件的制备。
基本信息
专利标题 ：
金刚石膜的选择性气相生长
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045815A
申请号 ：
CN89107565.8
公开（公告）日 ：
1990-10-03
申请日 ：
1989-09-29
授权号 ：
CN1013965B
授权日 ：
1991-09-18
发明人 ：
金曾孙于三吕宪义邹广田
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
吉林省长春市朝阳区解放大路83号
代理机构 ：
吉林大学专利事务所
代理人 ：
王恩远
优先权 ：
CN89107565.8
主分类号 ：
C23C16/04
IPC分类号 ：
C23C16/04 H01L21/31
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
法律状态
1994-11-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-06-10 ：
授权
1991-09-18 ：
审定
1990-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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