微波等离子体化学气相沉积中一种可旋转生长金刚石的装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了微波等离子体化学气相沉积中一种可旋转生长金刚石的装置，包括：用于提供微波等离子体金刚石生长环境的腔体，腔体内设置有可旋转样品托，可旋转样品托用于放置金刚石，可旋转样品托可绕中心轴旋转，继而带动金刚石旋转。使得金刚石在生长过程中，每一点生长条件都相同，实现了气流、温度、功率密度在金刚石生长面的均匀分布。
基本信息
专利标题 ：
微波等离子体化学气相沉积中一种可旋转生长金刚石的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922431708.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211284535U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
王宏兴王艳丰
申请人 ：
广东达蒙得半导体科技有限公司;王宏兴
申请人地址 ：
广东省广州市松山湖园区新城路5号1栋1109室
代理机构 ：
西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘艳霞
优先权 ：
CN201922431708.3
主分类号 ：
C23C16/511
IPC分类号 ：
C23C16/511 C23C16/50 C23C16/27 C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/511
采用微波放电
法律状态
2020-12-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/511
登记生效日 : 20201214
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广东达蒙得半导体科技有限公司
变更后权利人 : 西安德盟特半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 523808 广东省广州市松山湖园区新城路5号1栋1109室
变更后权利人 : 710075 陕西省西安市高新区唐延南路十一号1幢1单元11403室
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 王宏兴
登记生效日 : 20201214
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广东达蒙得半导体科技有限公司
变更后权利人 : 西安德盟特半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 523808 广东省广州市松山湖园区新城路5号1栋1109室
变更后权利人 : 710075 陕西省西安市高新区唐延南路十一号1幢1单元11403室
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 王宏兴
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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