一种用于金刚石厚膜的生长装置
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种用于金刚石厚膜的生长装置,通过把设备中的样品台分成两个部分,在样品台进水管中设置一根可以上下移动的驱动杆带动样品台中心的小样品台上下移动,进而带动放置在小样平台上方的金刚石衬底上下移动,以调节金刚石衬底的上表面在等离子体中的相对位置。本发明的优点该结构可以保证金刚石生长表面在等离子体中的位置不会随着生长厚度的改变而改变,确保了金刚石生长表面温度和自由基团浓度的恒定,减小金刚石生长过程中的应力积累,降低金刚石由于厚度变化而导致的应力累积过大产生裂纹的风险,可用于金刚石长时间恒定速率生长。

基本信息
专利标题 :
一种用于金刚石厚膜的生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481086A
申请号 :
CN202011151122.2
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-10-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘胜甘志银汪启军
申请人 :
广东众元半导体科技有限公司
申请人地址 :
广东省佛山市南海区平洲南港大街5号1楼
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202011151122.2
主分类号 :
C23C16/27
IPC分类号 :
C23C16/27  C23C16/511  C23C16/52  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/27
申请日 : 20201025
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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