一种生长金刚石多晶膜用样品托及其装置
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摘要
本实用新型涉及晶体合成技术领域,具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及其装置,本实用新型的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽,样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹,若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带,本实用新型的样品托采用非对称式底部花纹,利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀,可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长;本实用新型的装置包括有上述结构的样品托,结构简单,设计合理,通过采用采用非对称式底部花纹的样品托,以改善外延金刚石多晶薄膜的厚度和晶向的均匀性,可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
基本信息
专利标题 :
一种生长金刚石多晶膜用样品托及其装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020123117.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-17
授权号 :
CN211921746U
授权日 :
2020-11-13
发明人 :
丁雄傑王忠强王琦张国义
申请人 :
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖园区沁园路17号1栋2单元306号
代理机构 :
东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
邓燕
优先权 :
CN202020123117.X
主分类号 :
C30B28/14
IPC分类号 :
C30B28/14 C30B29/04 C30B29/64 C23C16/27 C23C16/458 C23C16/511
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/12
由气态直接制备
C30B28/14
用反应气体的化学反应法
法律状态
2020-11-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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