一种用于金刚石生长的沉积装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于金刚石生长的沉积装置,包括:支撑台、升降台和钼托,支撑台的中间形成有中空部;钼托包括基体和设置在基体中间的屏蔽部,基体设置在支撑台上,屏蔽部上形成有多个间隔设置的屏蔽孔;升降台可升降地设置在中空部中,升降台的上方形成有多个与屏蔽孔相适配的支撑柱,支撑柱的顶部用于放置金刚石籽晶;其中,在金刚石的生长过程中,通过调节升降台的高度,使得金刚石的上表面和钼托的相对位置保持不变,并且每个支撑柱保持插入在对应的屏蔽孔中的状态。本实用新型既能避免升降台调节对腔体内电场分布、各类粒子分布、温度等参数造成影响,还能很好地防止金刚石籽晶的漂移。
基本信息
专利标题 :
一种用于金刚石生长的沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122429822.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-10-09
授权号 :
CN216192875U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
魏浩胤蒋琛
申请人 :
长沙新材料产业研究院有限公司
申请人地址 :
湖南省长沙市长沙高新开发区文轩路27号麓谷钰园B8栋首层东部、2层整层、7层整层、8层整层
代理机构 :
北京锺维联合知识产权代理有限公司
代理人 :
黄利萍
优先权 :
CN202122429822.X
主分类号 :
C30B25/16
IPC分类号 :
C30B25/16 C30B25/20 C30B29/04 C30B25/12
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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