一种金刚石膜生长系统中的冷却装置
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摘要
一种金刚石膜生长系统中的冷却装置，包括基体柱和冷却台，还包括配设在所述冷却台外侧的支撑件，所述支撑件能够在冷却时所述冷却台带动所述基体柱下移过程中支撑所述基体柱，以使所述基体柱与所述冷却台分离。本实用新型提出的冷却装置，在保证不影响金刚砂生长情况的条件下，冷却时，控制冷却台下移，并通过支撑件将基体柱悬空架设在冷却台上方使基体柱与水冷台分离，从而降低钼基体的导热速度，间接地减缓置于钼基体上的金刚石膜的散热速度，从而可减少金刚石膜的裂纹；还可进一步控制炉体内真空度，使钼基体与冷却台之间的间隙内无介质流动，进一步缩小钼基体降温的幅度，达到缓慢降低金刚石膜散热、减少裂纹出现的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种金刚石膜生长系统中的冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122535973.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
CN216237273U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李庆利甄西合赵丽媛徐悟生张树玉朱逢旭刘得顺杨春晖
申请人 ：
天津本钻科技有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区中北镇星光路27号数科园研发楼102
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202122535973.3
主分类号 ：
C23C16/56
IPC分类号 ：
C23C16/56 C23C16/27
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/56
后处理
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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