一种基于碳化硅的导电结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于碳化硅的导电结构，包括基层块和设置在其上端的漂流区域，所述漂流区域用于提供大量的空穴以及少量的电子，所述漂流区域上端两侧分别设有提供电子的第一电极半导体和用于将电子引出的第二电极半导体，所述第一电极半导体和第二电极半导体之间设有隔断电子流动的门极块，所述门极块上端设有用于提供正电以吸附电子在门极块处汇集的电源块，所述第一电极半导体和第二电极半导体都为竖直分布的矩形结构，本申请针对现有装置的弊端进行设计，优化了作为源极和漏极的两个半导体的结构，将传统平铺结构替换成竖直结构，有效的增大了电子的流通面积，降低了电阻，提高了导电性能，实用性强。
基本信息
专利标题 ：
一种基于碳化硅的导电结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122192685.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-10
授权号 ：
CN216161741U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
尹其言张旭文
申请人 ：
湖南钛芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市开福区东风路街道芙蓉中路1段303号富兴世界金融中心T3栋写字楼第22层017、018-01、027-028号
代理机构 ：
东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王慧敏
优先权 ：
CN202122192685.2
主分类号 ：
H01L29/16
IPC分类号 ：
H01L29/16 H01L29/08 H01L29/772
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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