导电结构的制作方法、导电结构及机台设备
授权
摘要
本申请公开了一种导电结构的制作方法、导电结构及机台设备，该导电结构的制作方法包括：在晶圆上待填充的导孔和/或沟槽内表面沉积籽晶层；对所述晶圆的上表面和下表面进行加热，使所述籽晶层回流，以去除所述待填充的导孔和/或沟槽豁口处及侧壁的悬垂凸起结构。该导电结构采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热，使晶圆的升温更加均匀和快速，减少豁口处及侧壁的悬垂凸起结构，拓展了籽晶层回流的工艺窗口，减少晶圆因温升变化产生的应力，采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热还可以显著减少籽晶层回流的工艺耗时，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
导电结构的制作方法、导电结构及机台设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113097129A
申请号 ：
CN202110230882.0
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2021-03-02
授权号 ：
CN113097129B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
王永平张育龙黄驰曾海武素衡李远
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202110230882.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/67 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210302
申请日 : 20210302
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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