导电结构、半导体结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种导电结构、半导体结构及其制作方法，导电结构包括：导电柱以及至少一个内嵌块，导电柱与内嵌块相接触，且内嵌块的热膨胀系数小于导电柱的热膨胀系数。在导电柱受热发生膨胀时，本发明实施例有利于减小导电柱对与导电柱相邻的结构的挤压影响，进而提高半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
导电结构、半导体结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361131A
申请号 ：
CN202011091938.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011091938.0
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/367 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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