透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片
授权
摘要

本实用新型涉及透射电镜芯片技术领域,提供一种透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片,所述透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片包括基底、设置于基底上的薄膜承载层和设置于薄膜承载层上的功能层,功能层设有加热电阻、导热件和多个间隔设置的通电电极;加热电阻包括弧形部和两个延伸部,两个延伸部分别与弧形部的两端相连且相对于弧形部的对称中心线对称分布于弧形部的两侧;两个延伸部之间形成有第一通道和第二通道,第一通道与弧形部两端之间的开口连通,第二通道位于弧形部背离开口的一侧,通电电极部分位于弧形部围设的区域、开口和第一通道内,导热件部分位于第二通道内、部分延伸至加热电阻外侧。

基本信息
专利标题 :
透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122728908.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-09
授权号 :
CN216484711U
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
韩晓东王梦龙毛圣成栗晓辰马东锋张剑飞李志鹏张晴杨晓萌田志永
申请人 :
北京工业大学
申请人地址 :
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
戴弘
优先权 :
CN202122728908.2
主分类号 :
G01N23/04
IPC分类号 :
G01N23/04  G01N23/20033  H05B3/02  H05B3/03  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
G01N23/04
并形成材料的图片
法律状态
2022-05-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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