一种原位监测原子层沉积设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种原位监测原子层沉积设备，包括：前驱体供应单元；沉积腔室，与所述前驱体供应单元连通，所述沉积腔室内部设置有样品台；第一电子束发射单元，与所述沉积腔室连通并向所述样品台发射第一电子束；第二电子束接收单元，与所述沉积腔室连通并接收通过所述样品台衍射形成的第二电子束；第一真空度调节单元，与所述电子束发射单元连通；以及；第二真空度调节单元，与所述沉积腔室连通。本申请解决了现有技术中原位监测原子层沉积设备和RHEED独立设置，在需要监测时，需要重新搭建、组装，搭建工作费工费时，且该种方式搭建完的设备环境，难以保证监测数据的准确性的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种原位监测原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022410974.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN213680879U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
范天庆屈芙蓉冯嘉恒夏洋高圣明帅强
申请人 ：
中国科学院微电子研究所嘉兴微电子仪器与设备工程中心
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号(嘉兴科技城)
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁凯
优先权 ：
CN202022410974.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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