极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法
授权
摘要
本发明涉及一种极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法，协同使用极紫外光与等离子体处理材料表面，实现材料表面原子尺度的加工。模式1采用极紫外光代替化学吸附进行表面激活，拓宽了材料的普适性并提高了效率；模式2采用极紫外光代替了等离子体轰击进行材料去除，一方面避免了引入杂质元素的可能，另一方面，由于具有相同状态的大量光子能够共存(玻色子)，就可以实现很低的能量分散度(即高单色性)，提高加工的确定性；模式3在经典等离子体ALE的基础上增加了极紫外增强激发环节，使得单独由离子轰击造成的材料去除转变为由极紫外光场与离子轰击共同决定，能够有效降低入射离子能量及加工表面损伤。
基本信息
专利标题 ：
极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111994868A
申请号 ：
CN202010804942.0
公开（公告）日 ：
2020-11-27
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN111994868B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
房丰洲
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
天津盛理知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈娟
优先权 ：
CN202010804942.0
主分类号 ：
B82B3/00
IPC分类号 ：
B82B3/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-12-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B82B 3/00
申请日 : 20200812
申请日 : 20200812
2020-11-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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