一种平面结构超低电容TVS结构
授权
摘要
本实用新型公开一种平面结构超低电容TVS结构,属于浪涌保护器件领域。提供P型衬底;在所述P型衬底的正面通过硼注入形成P2阱区;在所述P型衬底的正面通过磷或砷注入形成N1区和N3区;在所述P2阱区通过磷或砷注入形成N2区;在所述P型衬底的正面通过硼注入形成P1重掺杂区;在表面形成第一介质层,并刻蚀P1重掺杂区和N3区上方的第一介质层形成开口,在开口中形成第一金属;在表面形成第二介质层,并刻蚀N1区和N2区上方的第一介质层和第二介质层形成开口,在开口中形成第二金属;在所述第二金属上方形成钝化层,并留出两个金属PAD。
基本信息
专利标题 :
一种平面结构超低电容TVS结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122902079.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-24
授权号 :
CN216528900U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
王涛喻先坤彭时秋肖步文贺琪张世权张继
申请人 :
无锡中微晶园电子有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室
代理机构 :
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
叶昕
优先权 :
CN202122902079.5
主分类号 :
H01L29/861
IPC分类号 :
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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