一种平面结构超低电容TVS结构
授权
摘要
本实用新型公开一种平面结构超低电容TVS结构，属于浪涌保护器件领域。提供P型衬底；在所述P型衬底的正面通过硼注入形成P2阱区；在所述P型衬底的正面通过磷或砷注入形成N1区和N3区；在所述P2阱区通过磷或砷注入形成N2区；在所述P型衬底的正面通过硼注入形成P1重掺杂区；在表面形成第一介质层，并刻蚀P1重掺杂区和N3区上方的第一介质层形成开口，在开口中形成第一金属；在表面形成第二介质层，并刻蚀N1区和N2区上方的第一介质层和第二介质层形成开口，在开口中形成第二金属；在所述第二金属上方形成钝化层，并留出两个金属PAD。
基本信息
专利标题 ：
一种平面结构超低电容TVS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122902079.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216528900U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王涛喻先坤彭时秋肖步文贺琪张世权张继
申请人 ：
无锡中微晶园电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶昕
优先权 ：
CN202122902079.5
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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