一种提高UV反射率的陶瓷基板
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摘要
本实用新型公开一种提高UV反射率的陶瓷基板，包括有陶瓷基板本体，陶瓷基板本体具有相对侧设置的正面和背面；陶瓷基板本体的正面设置有正面导线，相邻金属围坝之间以及上金属边框与对应的金属围坝之间通过对应的正面导线导通连接；金属围坝的表面镀铝；陶瓷基板本体的正面对应金属围坝所围区域内设置有若干个正面焊盘；陶瓷基板本体的背面设置有若干个背面导线，陶瓷基板本体的背面对应背面导线下方设置有下金属边框、背面焊盘,正面焊盘与背面焊盘的配合，实现对金属围坝和正面焊盘通电，实现对金属围坝表面镀铝，背面焊盘与正面焊盘镀金，在UVC封装时，金属围坝的表面为镀铝层可以提高UV反射率，有利于提高金属围坝腔体的气密性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高UV反射率的陶瓷基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122916270.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216597628U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
黄嘉铧罗素扑袁广
申请人 ：
惠州市芯瓷半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市博罗县园洲镇刘屋管理区绿化北路3号
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
范小艳
优先权 ：
CN202122916270.5
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/62 H01L33/60 H01L33/54
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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