本实用新型涉及一种用于碳化硅晶体生长炉的石英腔体结构，属于碳化硅半导体材料器件生产技术领域；包括石英管，石英管与上端的上盖之间采用石英法兰密封，与下端的下盖之间采用直筒侧密封；石英管的上端开口处设置有石英法兰，上盖设置于石英法兰的上端面，上盖的外径大于石英法兰的外径，上盖与石英法兰之间设有O型橡胶密封圈，石英法兰的下部设置有托环，托环为环形结构，套接于石英管的外侧，托环的上端面设有圆柱形凹槽，石英法兰设置于托环的圆柱形凹槽内，石英法兰与圆柱形凹槽底部端面之间设有四氟缓冲垫圈，上盖以及托环通过螺栓固定连接；解决了目前碳化硅晶体生长炉密封结构中的O型圈易被烘烤老化而导致密封泄漏的问题。