一种碳化硅片生产用加热退火装置
授权
摘要
本实用新型公开了硅片生产装置技术领域的一种碳化硅片生产用加热退火装置，包括L型箱体，所述L型箱体内部通过若干组隔墙分隔为预热室、加热室、冷却室和出料室四个空间；所述加热室位于预热室下侧，所述冷却室位于加热室下侧，所述出料室位于冷却室右侧；所述预热室和加热室中均设置有接料机构，所述冷却室和出料室中设置有同一组出料室；所述L型箱体拐角内侧的外部设置有圆形架，所述圆形架后侧连接有驱动机构；所述圆形架侧边等距间隔安装有四组机械手；每当其中一个机械手完成一个步骤时，下一个机械手会重复之前的操作，从而循环往复，以实现加工过程的自动化进行，省时省力，方便快捷，大大提高了加工效率，实用性强。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅片生产用加热退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122970225.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
CN216528768U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李有群高攀贺贤汉陈辉章磊孙大方
申请人 ：
安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请人地址 ：
安徽省铜陵市经济开发区西湖三路
代理机构 ：
铜陵市天成专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
李坤
优先权 ：
CN202122970225.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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