一种碳化硅片快速加热退火装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅片快速加热退火装置，包括：依次连接的冷却室、预热室、加热室，冷却室位于预热室的一侧，加热室位于预热室的上方，冷却室、预热室内皆设置有可旋转的硅片托盘；冷却室、预热室之间设置有机械手臂；预热室的硅片托盘底部设置有升降架。本技术方案在各腔室内设置有可旋转的硅片托盘，在腔室之间设置有机械手臂，预热室和冷却室都可以同时进行入料和出料步骤，保证了进出料的连续性。通过独立设置的冷却室、预热室和加热室，多个碳化硅片可以在同一时间分别进行热、加热、冷却步骤，实现了多任务的同时进行，极大的提高了加工效率，使碳化硅片的加热退火效率得到显著的提升。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅片快速加热退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920543518.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-19
授权号 ：
CN209675252U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
程远贵
申请人 ：
湖南新锐微电子科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市高新开发区青山路6号金鹰文化创意园2号厂房402
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
伍传松
优先权 ：
CN201920543518.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 H01L21/324
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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