一种半导体激光器光源
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体激光器光源，包括：基座，基座中开设有贯穿所述基座的冷却液进口和冷却液出口；透光灯罩，透光灯罩位于所述基座的一侧且与所述基座的边缘密封连接，所述透光灯罩与所述基座围成冷却腔，所述冷却腔与所述冷却液进口和冷却液出口连通；反光灯罩，所述反光灯罩位于所述透光灯罩的外侧；位于所述冷却腔中的荧光层，所述荧光层适于反射部分入射激光并激发出荧光至所述反光灯罩的内壁。冷却液通过冷却液进口进入冷却腔中并通过冷却液出口流出冷却腔以带走冷却腔中的热量，形成水循环冷却，散热效果好，防止半导体激光器光源发生过热异常，有利于提高半导体激光器光源性能的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体激光器光源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123198431.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216408832U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
朱晓鹏陈武辉吴海涛赵志英
申请人 ：
北京大族天成半导体技术有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区凉水河二街8号院17号楼6层
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
董越
优先权 ：
CN202123198431.8
主分类号 ：
F21S41/16
IPC分类号 ：
F21S41/16 F21S41/32 F21S41/37 F21S45/46 F21V13/14 F21W107/10 F21W107/30 F21Y115/30
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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