本申请提供一种存储器CMOS电路，所述存储器CMOS电路包括：高压功能电路，包括至少一个MOS管，其中一所述MOS管的源极端或漏极端接入输入高压；用于实现在使能信号有效时，其输出电压逐渐增大并达到最大值；辅助钳位电路，设于所述输入高压和所述MOS管的源极端或漏极端之间，用于在所述输出电压上升阶段，对输入所述MOS管源极端或漏极端的电压进行钳位，以使钳位电压小于所述输入高压。通过本申请提供的存储器CMOS电路，解决了现有存储器CMOS电路中的高压功能电路存在可靠性风险的问题。