一种集成的磁耦合接收器结构与激励方法
公开
摘要
本发明的一个技术方案是提供了一种集成的磁耦合接收器结构，其特征在于，包括由上至下依次层叠在一起的N圈PCB线圈、电磁材料以及金属铜板构成的三层扁平结构。本发明的另一个技术方案是提供了一种磁耦合接收器结构的外部激励施加方法，其特征在于，所述外部激励施加施加在上述的磁耦合接收器结构的N圈PCB线圈以及金属铜板上。本发明采用一种集成的磁耦合接收器设计实现谐振腔元件的扁平集成化，并且通过仿真，本发明可以在集成化设计的同时实现较好的功率传输。
基本信息
专利标题 ：
一种集成的磁耦合接收器结构与激励方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114629251A
申请号 ：
CN202210030214.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹毅明傅旻帆李鹤远
申请人 ：
上海科技大学
申请人地址 ：
上海市浦东新区华夏中路393号
代理机构 ：
上海申汇专利代理有限公司
代理人 ：
翁若莹
优先权 ：
CN202210030214.8
主分类号 ：
H02J50/12
IPC分类号 ：
H02J50/12 H02J7/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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