本发明公开一种芯片热点的温度测量结构及方法，涉及半导体封装散热领域。所述芯片热点的温度测量结构包括：热电堆测温单元、芯片单元、微流散热单元和冷却工质供应单元；所述热电堆测温单元设置在所述芯片单元一侧，所述微流散热单元位于所述芯片单元的另一侧，所述冷却工质供应单元位于所述微流散热单元远离所述芯片单元的一侧；所述热电堆测温单元，基于多个所述实时温度值及多个所述温度差值，确定所述芯片的多个所述热点的最高温度值和最大温度差值，用以基于所述最高温度值和所述最大温度差值确定所述芯片的性能参数，实现对微流散热性能的精准评估和芯片工作状态的实时精准监测，还提高了测温方法的准确性和可靠性。