一种用于测量集成电路芯片温度的装置
专利权的终止
摘要
本实用新型提供了一种用于测量集成电路芯片温度的装置,包括设置在外壳内的近红外激光源、半反半透镜、相机、物镜,物镜、半反半透镜、相机在同一垂直线上,在半反半透镜和相机之间设置滤光片组,近红外激光源与半反半透镜在同一水平线上,在外壳内还设置有用于调节近红外激光束角度的调节机构。该方案利用含有上转换纳米颗粒的薄膜,将其覆盖在待测的集成电路芯片表面。在外界的近红外光照射下,上转换纳米颗粒能够发出可见光,该纳米颗粒的发光性质随着颗粒温度的变化而改变。因此对该光信号的光谱分析,可得到纳米颗粒所处位置的温度变化信息。
基本信息
专利标题 :
一种用于测量集成电路芯片温度的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921708657.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-13
授权号 :
CN210464667U
授权日 :
2020-05-05
发明人 :
郭玉国王瑀潘桂建
申请人 :
镇江国裕纳米新材料科技有限公司
申请人地址 :
江苏省镇江市丹徒区高新园区丹桂路1号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921708657.8
主分类号 :
G01J5/00
IPC分类号 :
G01J5/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
法律状态
2021-09-24 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01J 5/00
申请日 : 20191013
授权公告日 : 20200505
终止日期 : 20201013
申请日 : 20191013
授权公告日 : 20200505
终止日期 : 20201013
2020-05-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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