一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及磁场探测技术领域,具体涉及一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置,包括衬底、拓扑绝缘体层、磁致伸缩材料,拓扑绝缘体层置于衬底上,拓扑绝缘体层的表面设有空腔,磁致伸缩材料填充所述空腔。应用时,将该探测装置置于待测环境中,太赫兹源发射太赫兹波,太赫兹波照射本发明的探测装置,通过透射的太赫兹波变化实现磁场探测。由于太赫兹波具有较高的穿透能力,本发明将传感物质与激发源、探测器分离,能够实现非接触式的磁场探测,在磁场探测领域具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 :
一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114415079A
申请号 :
CN202210041415.8
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邵雅斌陈晨贾炀于海龙刘佳冯恒利张扬吴桐
申请人 :
浙江树人学院(浙江树人大学)
申请人地址 :
浙江省绍兴市柯桥区杨汛桥街道江夏路2016号
代理机构 :
重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
许攀
优先权 :
CN202210041415.8
主分类号 :
G01R33/032
IPC分类号 :
G01R33/032
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备,例如法拉第的
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/032
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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