本发明公开了一种DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根据本发明的DRAM测试方法，能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量。