一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明为一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法。该方法配制卤化铅与卤化有机铵盐的混合溶液后，利用低压辅助处理对沉积在衬底上的钙钛矿薄膜前驱体薄膜进行处理，形成结晶良好的中间相薄膜，然后通过加热形成纯相的RP钙钛矿薄膜。本发明成本低并且和大面积薄膜制备兼容，得到的钙钛矿薄膜可以用于太阳能电池，光电探测器，发光二极管、X射线探测器等多种光电器件，具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420852A
申请号 ：
CN202210048969.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴存存梁玉超韩晓静韩佳衡张贤张阳洋郑士建
申请人 ：
河北工业大学
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
代理机构 ：
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵凤英
优先权 ：
CN202210048969.0
主分类号 ：
H01L51/48
IPC分类号 ：
H01L51/48 H01L51/42
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/48
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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