氮含量高的氮化硅膜
实质审查的生效
摘要
描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。
基本信息
专利标题 ：
氮含量高的氮化硅膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540792A
申请号 ：
CN202210051665.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2018-07-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿达西·巴苏斯里尼瓦斯·D·内曼尼怡利·Y·叶
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202210051665.X
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/04 C23C16/50 C23C16/56 H01L21/02 C07F7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/34
申请日 : 20180705
申请日 : 20180705
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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