本发明实施例公开了一种DRAMLess SSD NAND编程出错的优化方法、装置及介质，其中方法包括：将待编程数据写入SSD的写缓存区；从写缓存区将待编程数据发送至NAND的缓冲寄存器中；将NAND的缓冲寄存器中的待编程数据发送至NAND的存储数据的物理阵列中进行编程；当待编程数据发送至NAND的缓冲寄存器后立即释放SSD的写缓存区中的待编程数据；当NAND的存储数据的物理阵列编程完成后反馈编程是否成功的状态；当NAND物理阵列编程出错时将NAND的缓冲寄存器中的待编程数据重新发送至NAND的存储数据的物理阵列中进行编程。本发明针对DRAMLess的SSD，通过NAND的缓冲寄存器作为编程出错时的数据备份恢复区，既保障了DRAMLess这类SSD的写性能要求，又保障了数据可靠性。