基于量子点荧光效应的光学元件亚表面缺陷三维重构方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种基于量子点荧光效应的光学元件亚表面缺陷三维重构方法。为解决现有技术亚表面缺陷处荧光强度弱、三维信息获取不完整的问题。本发明步骤为:步骤1)选择适合标记光学元件的量子点;步骤2)制备两组试件,对试件进行区域划分;步骤3)将获取到亚表面缺陷处荧光切片中的色值转换成亮度,对图像进行灰度化处理;步骤4)对获取到的亚表面缺陷荧光切片图像恢复原有图像中的灰度值;步骤5)对缺陷边缘的提取,最后选择八邻域目标跟踪将缺陷进行连接;步骤6)对提取后的光学元件亚表面缺陷荧光切片图像,每两层进行读取,构成三维体数据场,在三维数据场中提取等值面,并进行连接,完成光学元件亚表面缺陷的三维重建。

基本信息
专利标题 :
基于量子点荧光效应的光学元件亚表面缺陷三维重构方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114460053A
申请号 :
CN202210069781.4
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘雪莲肖博王春阳李田田崔亚娜
申请人 :
西安工业大学
申请人地址 :
陕西省西安市未央区学府中路2号
代理机构 :
西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人 :
黄秦芳
优先权 :
CN202210069781.4
主分类号 :
G01N21/64
IPC分类号 :
G01N21/64  G01N21/88  G06T7/12  G06T7/13  G06T17/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发,因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/64
荧光;磷光
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/64
申请日 : 20220121
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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